半导体二极管、三极管参数测量

了解二极管和晶体管的参数，可以提高基于二极管和晶体管的电子电路工作的质量和可靠性，并在电子设备的维修和调整过程中定位故障位置。

半导体器件参数测试仪的主要计量特性在器件的前面板和护照上给出。

半导体二极管和晶体管参数测试仪按以下标准分类：

• 按指示类型 - 模拟和数字，

• 预约——万用表，半导体二极管、晶体管和集成电路（L2）参数的测量设备（测试仪），逻辑分析仪（LA）。

测试仪的主要计量特性有：装置的用途、被测参数列表、参数的测量范围、各参数的测量误差。

半导体二极管、晶体管和模拟集成电路的适用性通过测量定性参数并随后与参考参数进行比较来检查。如果被测参数与参考参数相对应，则认为被测二极管、晶体管或模拟集成电路是合适的。

万用表（模拟和数字）用于检查二极管和晶体管中 p-n 结的完整性。此操作称为“拨号”。

检查二极管的健康状况包括测量 p-n 结的正向和反向电阻。欧姆表首先将负探针连接到二极管的阳极，将正探针连接到阴极。开启后，二极管的 p-n 结反向偏置，欧姆表将显示以兆欧表示的高电阻。

然后键的极性反转。欧姆表记录了一个低正向 p-n 结电阻。低电阻表明二极管的 p-n 结在两个方向上都损坏了。非常高的电阻表示 p-n 结中存在开路。

当使用数字万用表“拨动”p-n 结时，会引入一个特殊的子范围，由参数测量限位开关上的半导体二极管的常规图形名称表示。该模式下探头的工作电压对应0.2V，通过探头的电流不超过1μA。这样的电流，连最小的半导体都不可能击穿。

在检查双极型晶体管时，必须记住它们有两个 p-n 结，并且以与二极管相同的方式“振铃”。一个探针连接到基极端子，第二个探针交替接触集电极和发射极端子。

当“响铃”晶体管时，使用数字万用表的一项功能非常方便——测量电阻时，其探头的最大电压不超过 0.2 V。由于硅半导体的 p-n- 结在高于 0 的电压下打开。 6V，然后用数字万用表在电阻测量模式下，焊在板上的半导体器件的p-n结没有打开。在这种模式下，数字万用表与模拟万用表不同，它只测量被测设备的电阻。在模拟万用表中，此模式下的探头电压足以打开 p-n 结。

某些类型的万用表允许您测量双极晶体管的许多定性参数：

h21b (h21e) — 共基极（共发射极）电路中的电流传递系数，

Azsvo — 反向集电极电流（少数载流子电流、热电流），

h22——输出电导率。

L2 组的专业测试仪可以更有效地检查二极管和晶体管的质量参数。

测试人员检查的主要参数对于二极管和晶体管是不同的：

• 对于整流二极管——正向电压 UKpr 和反向电流 AzCobra，

• 对于齐纳二极管 — 稳定电压 Uz，

• 对于双极晶体管——传输系数z21，反向集电极Aznegov，输出电导率hz2，极限频率egr。

二极管主要质量参数的测量。

为了用测试仪L2测量二极管的质量参数，需要进行以下操作：

• 将 «Diode / Transistor» 开关切换到 «Diode» 位置，

• 将 «Mode» 开关切换到 «30» 位置，

• 将前面板上的 «> 0 <» 按钮设置到 «I»Yes» 位置，

• 键“模式/测量。»设置为»测量。 » 并用测试仪后面板上的电位器 «> 0 <»，将指示箭头设置为接近零标记，

• “模式/测量”键。设置到中间位置，

• 将被测二极管连接到触点 «+» 和 «-»,

提供二极管反向电流测量模式，执行以下操作：

• “模式/测量”键。设置到 «Mode» 位置，使用 «Mode» 开关（范围 30、100 和 400 V）和 «URV» 旋钮，在设备指示器上设置所需的二极管反向电压值，

• 返回键«模式/测量。»到初始位置并在设备指示器的 «10 U, I» 刻度上，通过使用右上角的开关 (0.1 — 1 — 10 — 100 mA) 选择这样的测量范围来读取反向电流的值，因此它是可以可靠地读取指示器读数。

测量二极管的正向电压，对其进行如下操作：

• 将右下方的开关移至 «UR, V» 位置，

• 将右上角的开关转到位置 «3 ~»，

• “模式/测量”键。使用 «Mode» 开关（范围 30 和 100 mA）和 «Azn mA «根据设备指示器设置所需的直流电流值，设置为 «Mode» 位置，

• “模式/测量”键。设置为“测量”。在使用右上角的开关选择这样的测量范围 (1 … 3 V) 后读取 URpr 的值，以便可以计算指示器读数。返回“模式/测量”键。到中间位置。

三极管主要质量参数的测量。

准备测试仪的工作，为此执行以下操作：

• 将 «Diode / Transistor» 开关设置为 «p-n-p» 或 «n-p-n» 位置（取决于被测晶体管的结构），

• 根据标记和端子位置将被测晶体管连接到支架，被测晶体管的发射极连接到触点 E2，集电极连接到端子 «C»，基极连接至 «B»，

• 将右下方的开关设置到位置 «K3, h22»,

• 将右上角开关设置为 «▼ h» 位置，

• “模式/测量”键。设置为“测量”。并使用“▼ h”旋钮，将指示器箭头移动到“h22”刻度的“4”格，

• “模式/测量”键。设置为“测量”。并在设备指示器的刻度上读取以 μS 为单位的输出电导率 «h22» 的值。返回“模式/测量”键。到中间位置。

测量晶体管的电流传递系数，为此执行以下操作：

• 将右下方的开关设置到位置 «h21»,

• “模式/测量”键。设置为“测量”。并使用 «t / g» 键将指示器箭头移动到 «h21v» 刻度的 «0.9» 格。返回 «Mode / Measurement» 键。到中间位置，

• 将右上角的开关设置到位置 «h21»,

• “模式/测量”键。设置为“测量”。在设备指示器的“h21b”或“h21e”刻度上，读取“h21”值。返回“模式/测量”键。到中间位置。

通过执行以下操作测量少数载流子流：

• 将右下方的开关设置到位置«Azsvo, ma «,

• 模式/测量键。设置为“测量”。并在刻度“10 U，Az»设备指示器读取集电极 Azsvo 的返回电流值，通过选择测量范围（0.1-1-10-100 mA）这样一个范围的开关，这样你可以自信地阅读证据。返回“模式/测量”键。到«测量»位置。